128 გბ SD ბარათი

აღწერა 128 გიგაბაიტიანი SD ბარათი TF-128G-T

128 გიგაბაიტიანი SD ბარათი უზრუნველყოფს 128 GB ციფრული მეხსიერების ტევადობას განსაზღვრული წაკითხვის/ჩაწერის ეფექტურობით და სამუშაო ტემპერატურის პარამეტრებით, რაც შესაფერისია უსაფრთხოებაზე ორიენტირებულ გარემოში კონტროლირებადი, განმეორებადი მუშაობისთვის.

ძირითადი მახასიათებლები

• 128 GB ტევადობა მონაცემების ერთ SD ბარათზე შესანახად
• შენახულ მონაცემებზე წვდომისთვის 100 მბ/წმ წაკითხვის სიჩქარე
• ბარათზე მონაცემების ჩაწერის სიჩქარე 65 მბ/წმ
• TLC შენახვის ნაწილაკები განსაზღვრული შენახვის მახასიათებლებისთვის
• რაოდენობრივი პროგრამის/წაშლის გამძლეობისთვის P/E ციკლის რეიტინგი 1000
• კონტროლირებადი ოპერატიული განლაგებისთვის სამუშაო ტემპერატურის დიაპაზონი 0–70℃

ეს განსაზღვრული სპეციფიკაციები ხელს უწყობს საიმედოობას და პროგნოზირებად ქცევას უსაფრთხოების გარემოში ცნობილი 128 GB ტევადობის, 100 მბ/წმ გაზომილი წაკითხვის სიჩქარის და 65 მბ/წმ ჩაწერის სიჩქარის უზრუნველყოფით, რაც ერთად უზრუნველყოფს მონაცემთა დამუშავების თანმიმდევრულ მუშაობას. TLC შენახვის ნაწილაკები და 1000 P/E ციკლის რეიტინგი იძლევა მკაფიო გამძლეობის პროფილს მედიის სასიცოცხლო ციკლების და ჩანაცვლების ინტერვალების დაგეგმვისთვის, რაც აუმჯობესებს შენახვის აქტივების კონტროლს. მითითებული 0–70℃ სამუშაო ტემპერატურის დიაპაზონი უზრუნველყოფს SD ბარათის გამოყენებას დოკუმენტირებული ლიმიტების ფარგლებში, რაც ხელს უწყობს სტაბილურ მუშაობას და ამცირებს შესრულების გადახრის რისკს ტემპერატურის კონტროლირებად დანადგარებში განთავსებისას.

გამოყენებადობა გაძლიერებულია მკაფიო ტევადობის, სიჩქარისა და გამძლეობის მნიშვნელობებით, რაც საშუალებას იძლევა მარტივად ინტეგრირდეს სისტემებში, რომლებიც მოითხოვენ შენახვის განსაზღვრულ მუშაობას. დოკუმენტირებული წაკითხვისა და ჩაწერის სიჩქარეები ხელს უწყობს მონაცემთა გამტარუნარიანობის დაგეგმვას, ხოლო მითითებული P/E ციკლი და სამუშაო ტემპერატურის დიაპაზონი საშუალებას იძლევა ოპერაციული პოლიტიკისა, რომელიც შეესაბამება ბარათის ტექნიკურ ლიმიტებს. ეს კომბინაცია ხელს უწყობს პროგნოზირებად მუშაობას, სტრუქტურირებულ ტექნიკური მომსახურების დაგეგმვას და კონტროლირებად მუშაობას უსაფრთხოებისა და მონიტორინგის ინფრასტრუქტურებში.